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正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点,尤其是其具有负的电流温度系数,即在栅-源电压不变的情况下,导通电流会随管温升高而减小,故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因此,VMOS管的并联得到广泛应用。众所周知,传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极**致处于同一水平面的芯片上,其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同,从图1上可以看出其两大结构特点:***,金属栅极采用V型槽结构;第二,具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流动,而是自重掺杂N+区(源极S)出发,经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区,***垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示,因为流通截面积增大,所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层,因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等,典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。下面介绍检测VMOS管的方法。除了为负载供电外,整流器/充电机应能在10倍于放电时间的时间内,将蓄电池的放电功率恢复到95%。盐城可控硅直销
采用比较常用的NPN三级管S8050和PNP三极管S8550来设计制作实际的测试电路板(PCB),如图5所示。图6中所标识的T2、T1和G与图5所示的相同,也类似于双向可控硅的T2、T1和G三个接线极。利用该模块电路串入负载接通正或负的直流电源和触发信号来测试,所得结果如图7所示,在正或负触发信号接入前电流表上的指示为0,当正或负触发信号接通并撤离后电流表指示依然保持原来的电流值。该实验表明该电路在正负电源供电情况下能双向触发导通。该模块电路在接通交流电源和脉冲控制信号时,其测验结果如图8所示。示波器探针1接触发信号,探针2接模块电路的两端T1-T2之间的电压。在触发信号为0是,T1-T2之间的电压等于电源电压值,表明该电路没有导通,当触发信号脉冲到来时,T1-T2两端的电压值为0,表明模块电路已经导通。4结束语在详细解读了双向可控硅的内部结构和工作原理的基础之上,设计了一款以7个三极管为主要元器件和电阻电容可以被双向触发的控制电路。利用常用的对管S8050和S8550制作出实验电路验证了该电路的正确性。在今后具体运用过程中可以通过对此电路的相关器件做适当调整来满足具体的需求和设计要求。同时。盐城可控硅直销 可控硅调整器具有软启动功能,减少对电网的冲击干扰,使主电路更加安全可靠。
也可以用图4中的测试电路测试普通晶闸管的触发能力。电路中,vT为被测晶闸管,HL为6.3V指示灯(手电筒中的小电珠),GB为6V电源(可使用4节1.5V干电池或6V稳压电源),S为按钮,R为限流电阻。当按钮S未接通时,晶闸管VT处于阻断状态,指示灯HL不亮(若此时HL亮,则是vT击穿或漏电损坏)。按动一下按钮S后(使S接通一下,为晶闸管VT的门极G提供触发电压),若指示灯HL一直点亮,则说明晶闸管的触发能力良好。若指示灯亮度偏低,则表明晶闸管性能不良、导通压降大(正常时导通压降应为1v左右)。若按钮S接通时,指示灯亮,而按钮S断开时,指示灯熄灭,则说明晶闸管已损坏,触发性能不良。2.双向晶闸管的检测(1)判别各电极:用万用表R×1或R×10档分别测量双向晶闸管三个引脚间的正、反向电阻值,若测得某一管脚与其他两脚均不通,则此脚便是主电极T2。找出T2极之后,剩下的两脚便是主电极Tl和门极G3。测量这两脚之间的正、反向电阻值,会测得两个均较小的电阻值。在电阻值较小(约几十欧姆)的一次测量中,黑表笔接的是主电极T1,红表笔接的是门极G。螺栓形双向晶闸管的螺栓一端为主电极T2,较细的引线端为门极G,较粗的引线端为主电极T1。金属封装(To—3)双向晶闸管的外壳为主电极T2。
10ms内截止输出过热保护主回路SCR温度>75℃,截止输出相序保护输入电源相序错误报警环境温度-5~+45℃湿度≤90%RH,无水珠凝结海拔高度低于1000米(超过1000米降额使用)第二章控制原理及功能特性控制原理三相晶闸管闭环技术可控硅调压器采用移相触发控制方式,输出电压、电流或功率连续可调,具有恒电压、恒电流或恒功率的特性。三相晶闸管闭环技术触发板的原理框图,其控制原理为一个典型的双闭环控制,电流环为内环,电压环为外环。现以调压器的“恒电压控制特性”来介绍其控制原理。调节过程如下:给定信号(Ug)、电压反馈信号(Uf)、电流反馈信号(If)当由于某种原因使调压器输出电压降低时(如电网电压降低):(Ug-Uf)↑→UO↑→Uy↑→α↓→调压器输出电压U↑***达到Uf与Ug相互平衡,调压器输出稳定电压。。图2-1恒电压原理框图电流环作用是,在突加负载或负载电流超过限流值时,限制调压器的输出电流在额定电流范围内,确保输出和调压器正常工作。其调节过程如下:U0恒定,负载电流增加:If↑→(UO-If)↓→IO↓→Uy↓→α↑→调压器输出电压U↓——If↓;同时电压环也参与调节,使调压器的输出电流被限制在额定电流范围内。可控硅触发板是通过调整可控硅的导通角来实现电气设备的电压电流功率调整的一种移相型的电力控制器。
从而通过该电路来达到深入解析可控硅和设计实际运用电路的目的。1双向可控硅工作原理与特点从理论上来讲,双向可控硅可以说是有两个反向并列的单向可控硅组成,理解单向可控硅的工作原理是理解双向可控硅工作原理的基础[2-5]。单向可控硅也叫晶闸管,其组成结构图如图1-a所示,可以分割成四个硅区P、N、P、N和A、K、G三个接线极。把图一按图1-b所示切成两半,就很容易理解成如图1-c所示由一个PNP三极管和一个NPN三极管为主组成一个单向可控硅管。在图1-c的基础上接通电源控制电路如图2所示,当阳极-阴极(A-K)接上正向电压V后,只要栅极G接通触发电源Vg,三极管Q2就会正向导通,开通瞬间Q1只是类似于接在Q1集电极的一个负载与电源正极接通,随后Q1也在Q2的拉电流下导通,此时由于C被充电,即便断开G极的触发电源Vg,Q1和Q2在相互作用下仍能维持导通状态,只有当电源电压V变得相当小之后Q1和Q2才会再次截止。相比于单向可控硅,双向可控硅在原理上比较大的区别就是能双向导通,不再有阳极阴极之分,取而代之以T1和T2,其结构示意图如图3-a所示,如果不考虑G级的不同,把它分割成图3-b所示,可以看出相当于两个单向可控硅反向并联而成[1-2],如图3-c所示连接。调整器采用移相触发方式,适用于阻性、感性负载,变压器一次侧。供应双向可控硅厂家
可控硅触发板用于水泵、风机等软启动控制,调速节能控制等。盐城可控硅直销
该充电器除可为各种镍镉电池充电外,也可为干电池充电。其充电电流可调。充电终止电压由RP1预先确定。开始充电时,电池组两端电压较低,不足以使晶体管VT导通。由RC组成的移相电路给可控硅提供触发电流。移相角度由RP2决定。负半周时可控硅截止。因此可控硅以可控半波整流方式经电池组充电。调整RP2即可调整充电电流,比较大充电电流由R1既定。指示灯串在电路中以指示充电情况和充电电流的大小。R3用以调节指示灯的亮度。当电池组电压慢慢升高,快到预定值时,三极管开始导通,可控硅的导通角减小,充电电流下降,直至完全截止,这样充电自动停止,并使电池组保持在预定电压上。因为当电压下降时,晶体管又趋向截止,可控硅重新启动,不过此时导通角很小,电流出很小,对充电电池有保护作用,防止过充。元器件选择与制作元器件清单见下表。编号名称型号数量R1电阻(需调整)1R2电阻1R3电阻根据指示灯选用1RP1电位器100K1RP2电位器2K1C涤纶电容1VD1、VD2晶体二极管2CP类2VT晶体三极管3DG类1VS单向可控硅1A/25V1元器件连接完成,检查无误,即可进行调整。调整时,将电流表串在输入回路中,先将R3短路,RP2旋至阻值**小处,调整R1。盐城可控硅直销
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